Двумерные проводники
Двуме́рные проводники́ — электропроводящие слои, толщина которых сравнима с длиной волны электрона[1][2].
Физические основы
Толщина электропроводящего слоя двумерных проводников составляет примерно нм, что равно длине волны электрона. Примерами естественных двумерных проводников могут служить неорганические кристаллы, обладающие анизотропией электропроводности, слоистые органические проводники. Характерной особенностью таких проводников является анизотропия проводимости: она высока в плоскости атомных слоёв и мала в поперечном направлении относительно этих слоёв.
Искусственные двумерные проводники — это тонкие металлические плёнки на поверхности диэлектрика, двумерный электронный газ над поверхностью диэлектрика, удерживаемый электрическим полем, и другие. При понижении температуры находящиеся в электронном газе электроны скапливаются на самых низких электрических уровнях, что эквивалентно двумерной электрической системе[3].
Гетероструктуры «металл — диэлектрик — полупроводник» (в частности, структуры на основе ) также представляют собой двумерные проводники. Двумерный электронный газ формируется с помощью электронных потенциальных барьеров и изгибов энергетических зон вблизи них.
К двумерным проводникам относится графен — модификация углерода толщиной в один атом, являющийся самым электропроводящим двумерным материалом.
Применение
Двумерные проводники используются при создании полевых транзисторов и транзисторов в больших интегральных схемах и процессорах, поскольку позволяют осуществлять быстрое и удобное переключение из открытого состояния в закрытое, а также обладают преимуществом в том, что рассеяние электронов практически отсутствует, что резко уменьшает электрическое сопротивление транзисторов (т. н. транзисторы с нулевым электрическим сопротивлением), фактически превращая такие транзисторы в сверхпроводники, работающие не при низких температурах. Препятствием для массового производства является неоднородности получаемых плёнок и наличие в них межкристаллитных межзёренных границ. Перспективным материалом для подобных транзисторов считается дисульфид молибдена () и металлический галлий (), а также оксид олова (), борофен (монослой бора, ), и ниобата теллура ().
Примечания
Литература
- Калашников Н. В., Стоцкий Л. Р., Добрынина Н. П., Любимов Н. Г., Смирнов В. И., Тарасов Д. А. Единицы измерения и обозначения физико-технических величин. Справочник. — Москва : Изд-во «Недра», 1966.
- Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. — Москва : Физматлит, 2005.
- Сивухин Д. В. Общий курс физики. Т. 3. Электричество. — Москва : Физматлит, 2014.