Бавижев, Мухамед Данильевич
Мухамед Данильевич Бавижев (род. 5 марта 1953, Жако, Хабезский район, СССР) — российский учёный, доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники (1996). Вице-президент акционерного общества «Научно-производственное предприятие „Радий“»[1][2]. Инициировал и руководил первыми работами по применению монокристаллов в системах управления пучками частиц на ускорителе У-70 Института физики высоких энергий (ИФВЭ)[3].
Общие сведения
| Мухамед Данильевич Бавижев | |
|---|---|
| Дата рождения | 5 марта 1953 (73 года) |
| Место рождения | |
| Страна | |
| Научная сфера | физика, кристаллооптика, нанотехнологии |
| Место работы |
АО «НПП «Радий» Северо-Кавказский федеральный университет Институт физики высоких энергий Объединённый институт ядерных исследований |
| Образование | Московский инженерно-физический институт (1976) |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук |
| Учёное звание | профессор |
| Награды и премии | |
Биография
Родился 5 марта 1953 года в ауле Жако, в 1970 году окончил среднюю школу города Черкесска[4].
Окончил Московский инженерно-физический институт (МИФИ) (1970—1976). В 1979—1982 годах проходил обучение в аспирантуре Томского политехнического института со стажировкой в Объединённом институте ядерных исследований (ОИЯИ)[4].
1976—1978 — ассистент кафедры физики и химии филиала Ставропольского политехнического института (СПИ), г. Черкесск.
1979—1982 — аспирант Томского политехнического института, стажёр Объединённого института ядерных исследований (ОИЯИ), г. Дубна.
1979—1982 — ассистент СПИ, г. Ставрополь.
1984—1994 — научный сотрудник, начальник группы Института физики высоких энергий (ИФВЭ), г. Протвино.
В 1985 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук «Экспериментальное исследование излучения электронов и позитронов с энергией 10 ГэВ в толстых монокристаллах кремния и германия», в 1994 году — диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук «Экспериментальные исследования, разработка и создание систем кристаллооптики пучков высоких энергий».
1994—2008 — профессор, заведующий кафедрой, первый проректор, главный научный сотрудник Карачаево-Черкесской государственной технологической академии, г. Черкесск.
2008—2012 — директор научно-исследовательского института прикладных нанотехнологий, профессор кафедры «Нанотехнологии и технологии материалов электронной техники», директор Объединённого центра нанотехнологий Северо-Кавказского государственного технического университета, г. Ставрополь.
Научный консультант (с 2006 года), с 2012 года — вице-президент и директор научно-исследовательского центра АО "НПП «Радий», г. Москва[5].
Научная деятельность
В сферу научных интересов входят:
- Физика взаимодействия элементарных частиц с веществом, кристаллооптика пучков частиц высоких энергий,
- физика низкоразмерных систем,
- методы синтеза и диагностики наноструктур,
- функциональные материалы и изделия на их базе,
- атомная и молекулярная оптика,
- автоэмиссионные материалы и изделия на их основе,
- вакуумная микроэлектроника,
- функциональные узлы бортовых СВЧ РЛС.
Специалист в области кристаллооптики пучков частиц высоких энергий, функциональных наноматериалов и вакуумной микроэлектроники.
Участвовал в международном советско-американском эксперименте «КРИСТАЛЛ», в ходе которого было открыто явление поворота заряженных частиц деформированными кристаллами.
Общественная деятельность
- В рамках Адыгской (Черкесской) международной академии наук является академиком-секретарём Отделения физики, энергетики и электроники[6] и членом редакционной коллегии научного журнала «Доклады АМАН»[7].
- Являлся президентом НКО «Фонд эффективного образования» (организация ликвидирована в 2017 году).
- Член общественного совета при Департаменте Росприроднадзора по СКФО (2011—2012 гг.).
Признание
- Лауреат премии комсомола Подмосковья в области науки и техники (1984)
- Лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники (1996)[8]
- Почетный работник высшего профессионального образования РФ (1998)
- Соросовский профессор
- Академик Всемирной адыгской (черкесской) международной академии наук
- Член Нанотехнологического Общества РФ
- Эксперт РОСНАНО
Избранная библиография
1. Steering Of Charged Particle Trajectories By A Bent Crystal Physics Letters. Section B: Nuclear, Elementary Particle and High-Energy Physics. 1979. Т. 88. № 3-4. С. 387—391.
2. Radiation From The Channeling Of 10-Gev Positrons By Silicon Single Crystals Physical Review Letters. 1982. Т. 48. № 7. С. 488—492.
3. Radiation From 10 Gev Positrons Channeled In Silicon Crystals Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1982. Т. 194. № 1-3. С. 239—241.
4. Computer Simulation Of Multitum Beam Extraction From Accelerators By Bent Crystals Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1991. Т. 58. № 1. С. 103—108.
5. Extraction Of The 70 Gev Proton Beam From The Ihep Accelerator Towards Beam Line 2(14) With A Bent Single Crystal Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 1991. Т. 309. № 1-2. С. 1-4.
6. Extraction From Tev-Range Accelerators Using Bent Crystal Channeling Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1994. Т. 90. № 1-4. С. 128—132.
7. Особенности Прохождения Атомных и Молекулярных Пучков через Капиллярные Структуры в Условиях Взаимодействия с Поверхностной Световой Волной Российские нанотехнологии. 2010. Т. 5. № 9-10. С. 73-76.
8. Управление Расходимостью Каналированного в Поликапилляре Атомного Пучка Полем Лазерного Излучения Оптика и спектроскопия. 2012. Т. 113. № 3. С. 351.
9. Моделирование Процесса Транспортировки Атомного Пучка в Микрокапилляре в Условиях Взаимодействия с Поверхностной Световой Волной Математическое моделирование. 2012. Т. 24. № 9. С. 50-62.
10. Исследование Особенностей Роста Островков Ge На Si(100) в Условиях МЛЭ Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 5. С. 100.
11. Зависимость Топологии Поверхности и Спектров Рамановского Рассеяния Пленок Gexsi1 — X/Si от Изменения Состава по Толщине Слоя Кристаллография. 2013. Т. 58. № 3. С. 501.
12. Registration Of Energy Discharge In D + D → 4he * Reaction In Conducting Crystals (Simulation Of Experiment) Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2013. Т. 309. С. 95-104.
13. Приемопередающий Модуль Х-Диапазона на Кремниевой Коммутационной Плате Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 441—442.
Основные патенты
1. Устройство формирования пучков заряженных частиц высокой энергии, Патент SU 1568784, (1988).
2. Фотоэлектрический преобразователь на основе непланарной полупроводниковой структуры, Патент RU 2399118, (2010).
3. Рентгеновская трубка с модулируемым излучением, Патент RU 2507627, (2014).
4. Диодная сборка для СВЧ защитных устройств, Патент RU 2535915, (2014).
5. Способ получения термостойких нанокомпозитов, содержащих платиновые металлы, Патент RU 2550472, (2015).
6. Электродный узел электронных приборов, Патент RU 2581835, (2016).
7. Источник электронов с автоэлектронным эмиттером и рентгеновская трубка с таким источником электронов, Патент RU 2581833, (2016).
8. Способ получения электропроводящего гидрофильного аэрогеля на основе композита из графена и углеродных нанотрубок, Патент RU 2662484, (2017).
9. Способ модификации эмиссионной поверхности электродов для приборов с автоэлектронной эмиссией, Патент RU 2652980, (2018).
10. Способ получения электропроводящего гидрофильного аэрогеля на основе композита из графена и углеродных нанотрубок, Патент RU 2662484, (2018).
11. Способ электродиализного опреснения воды, Патент RU 2770078, (2022).
12. Способ паровой конверсии метана и/или легких углеводородных смесей, Патент RU 2785612, (2022).
13. Способ изготовления магнийсиликатного проппанта, Патент RU 2814893, (2024).