Челноков, Валентин Евгеньевич

В 1952 году окончил физико-механический факультет Ленинградского политехнического института.

В 1953—1954 гг. — главный инженер завода.

В 1954—1967 гг. — научный сотрудник, старший научный сотрудник (1965), зав. лабораторией в Физико-техническом институте АН СССР.

Кандидат физико-математических наук (1962), доктор технических наук (1968, тема диссертации — «Силовые кремниевые приборы с диффузионными Р-П переходами»^[1]).

С 1967 года — заместитель директора Всесоюзного электротехнического института имени В. И. Ленина.

Основные направления научных исследований и ключевой вклад в физику полупроводниковых приборов:

• разработка силовых кремниевых приборов с диффузионными p-n-переходами;
• исследование и создание приборов на основе карбида кремния (SiC), включая высокотемпературные диоды, полевые транзисторы, диоды Шоттки, динисторы и туннельные диоды;
• разработка оптоэлектронных приборов: создание синих, зелёных и фиолетовых светодиодов на основе карбида кремния, а также трёхцветного индикатора на одном монокристалле;
• создание приборов на основе арсенида галлия (GaAs): высоковольтных силовых диодов большой площади и силовых тиристоров;
• технологические и материаловедческие исследования, в том числе изучение реактивного ионно-плазменного травления карбида кремния и фотолюминесценции аморфных плёнок a-Si1-xCx:H;
• фундаментальные труды (соавторство в монографиях «Плоскостные транзисторы», «Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов» и «Физические проблемы в силовой полупроводниковой электронике»).

Лауреат Ленинской премии 1966 года — за исследование сложных структур с p-n-переходами, разработку технологии изготовления и внедрение в серийное производство силовых кремниевых вентилей. Премия была присуждена совместно с коллективом соавторов, среди которых В. М. Тучкевич, В. Б. Шуман, И. В. Грехов и другие.

• Яковчук Н. С., Челноков В. Е., Гейфман М. П. Плоскостные транзисторы. — Судпромгиз, 1961^[2].
• Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. — Энергия, 1973^[2].
• Физические проблемы в силовой полупроводниковой электронике / А. Е. Отблеск, В. Е. Челноков; Отв. ред. В. М. Тучкевич, 237 с. ил. 21 см, Л. Наука, Ленингр. отд-ние 1984
• Силовые полупроводниковые приборы. Валентин Евгеньевич Челноков, Б. И. Хомяков, Всесоюзный институт научной и технической информации ВИНИТИ, 1986 — Всего страниц: 105
• Авторское свидетельство SU 482837 A1. Тиристор (1975)^[3].
• К. В. Василевский, В. А. Дмитриев, В. В. Новожилов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков. Обращенная меза-структура из карбида кремния // Письма в ЖТФ, 1992^[4].
• В. А. Дмитриев, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков. Высокотемпературный синий светодиод // Письма в ЖТФ, 1992^[4].
• М. М. Аникин, А. Н. Андреев, А. А. Лебедев, С. Н. Пятко, М. Г. Растегаева, Н. С. Савкина, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков. Высокотемпературный диод Шоттки Au−SiC-6H // Физика и техника полупроводников, 1991^[4].
• В. А. Дмитриев, Л. Б. Елфимов, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, М. А. Чернов. Твердые растворы SiC−AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1991^[4].
• В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков. Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с p−n-затвором // Письма в ЖТФ, 1991^[4].
• В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, В. Е. Челноков, С. В. Чернышев, Ю. М. Шерняков. Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1−xCx:H // Физика и техника полупроводников, 1990^[4].
• Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков. Зеленые SiC-6H светодиоды // Письма в ЖТФ, 1990^[4].
• В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков. Светодиод с λmax≃398 нм // Письма в ЖТФ, 1990^[4].
• В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков. Фиолетовый SiC-4C-светодиод // Физика и техника полупроводников, 1989^[4].
• М. М. Аникин, П. А. Иванов, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков. SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых транзисторов крутизной // Письма в ЖТФ, 1989^[4].