Фотопластический эффект
Фотопластический эффект — явление увеличения сопротивления пластической деформации полупроводников при возникновении внешнего светового излучения. Был открыт Ю. А. Осипьяном и И. Б. Савченко в 1968 г.[1][2][3] Причиной фотопластического эффекта является воздействие света на распределение электрических зарядов внутри кристалла, вызывающее уменьшение скорости дрейфа дислокаций пластической деформации и уплотнение кристаллов.[1]
Примечания
Литература
- Героргбиани А. Н., Шейнкман М. К. Физика соединений A2B6. - М., Наука,