Рябчиков, Александр Ильич

Рябчиков Александр Ильич родился 15 июня 1950 года в городе Рубцовск Алтайского края.

В 1967 году окончил школу № 6 города Рубцовска. Продолжил учёбу в институте.

В 1973 году окончил электрофизический факультет Томского политехнического института, получив специальность «Физическая электроника».

В 1975—1978 годах учился в аспирантуре Томского политехнического института по специальности «Электрофизические установки и ускорители». В 1978 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование и разработка методов управления траекторией движения сильноточных релятивистских электронных пучков». В 1994 году защитил докторскую диссертацию на тему «Импульсно-периодические многофунуциональные источники ионов на основе вакуумной дуги и нетрадиционные методы ионно-лучевой, ионно-плазменной обработки материалов». Получил учёную степень доктора физико-математических наук, в 2006 году — звание профессора^[1]. Научным руководителем и наставником Александра Ильича был член-корреспондент АН СССР и РАН Андрей Николаевич Диденко.

Трудиться начал после окончания школы, работал на Алтайском тракторном заводе фрезеровщиком (1967—1968). По окончании института работал в НИИ ядерной физики. С 1973 года последовательно занимал в НИИ должности инженера, старшего инженера, младшего научного сотрудника, старшего научного сотрудника, заведующего лабораторией, заместителя директора по научной работе.

В 1997—2008 годах работал директором НИИ ядерной физики при Томском политехническом университете. С 2008 года и до конца жизни заведовал лабораторией № 22 (Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов)^[1].

Область научных интересов: ионная имплантация, физика пучков заряженных частиц, методы плазменного осаждения покрытий, ускорительная техника.

Рябчиков Александр Ильич зарегистрировал 42 патента на изобретения, автор около 260 научных работ. Под его руководством было подготовлено и защищено 12 кандидатских и 2 докторские диссертации^[1]. Среди его учеников — доктора наук С. В. Дектярев и И. Б. Степанов; кандидаты наук П. С. Ананьин, А. Е. Шевелёв, Д. О. Сивин, Е. Б. Кашкаров, М. С. Сыртанов^[1].

Скончался 23 декабря 2024 года в Томске^[2].

• Заслуженный работник науки и техники РФ (2008).
• Премия Министерства высшего и среднего специального образования РСФСР.
• Медали ВДНХ СССР.
• Занесён в Галерею почёта ТПУ (2008).
• Золотая медаль Международной выставки «Высокие технологии. Инновации. Инвестиции» (2010).

• Применение высокочастотного короткоимпульсного потенциала смещения для ионно-лучевой и плазменной обработки проводящих и диэлектрических материалов / А. И. Рябчиков, И. Б. Степанов // Известия Томского политехнического университета. 2010. Т. 316, N 4. С. 85-89 : ил. — Библиогр.: с. 89 (16 назв.). ISSN 1684-8519.
• Исследование зарядового состояния газовой и металлической плазмы с использованием плазменно-иммерсионного времяпролётного спектрометра / А. И. Рябчиков, И. Б. Степанов, С. Е. Ерёмин // Известия Томского политехнического университета. — 2010. Т. 316, N 4. — С. 90-93 : ил. — Библиогр.: с. 93 (8 назв.). ISSN 1684-8519.
• Источник псевдоленточных пучков ионов металлов [Текст] / А. И. Рябчиков, И. Б. Степанов, Д. О. Сивин // Известия Томского политехнического университета. 2010. Т. 316, N 4. — С. 94-97 : ил. Библиогр.: с. 97 (5 назв.). ISSN 1684-8519.
• Study of the synergy effect of high-intensity aluminum ions implantation into titanium and energy impact on the surface / O. Korneva, I. A. Kurzina, V. Tarbokov, A. I. Ryabchikov // Materials Technologies Design. — 2023^[3].
• Influence of Surface Sputtering during High-Intensity, Hot Ion Implantation on Deep Alloying of Martensitic Stainless Steel / O. Korneva, A. Ivanova, A. Gurulev, A. I. Ryabchikov et al. // Metals. — 2023^[3].