Некрасов, Игорь Александрович

Родился в 1976 году.

В 1999 году окончил физико-технический факультет УГТУ-УПИ, затем до 2005 года работал в Институте физики металлов (ИФМ) УрО РАН (Екатеринбург), с 2005 года — в Институте электрофизики (ИЭФ) УрО РАН. Занимает должность главного научного сотрудника ИЭФ^[1].

В 2001 году защитил кандидатскую диссертацию (научный руководитель — В. И. Анисимов), тема: «Численные расчёты электронной структуры соединений с сильными кулоновскими электрон-электронными корреляциями»^[2].

В 2014 году защитил докторскую диссертацию, тема: «Исследования особенностей электронной структуры сильно коррелированных систем обобщёнными методами на основе теории динамического среднего поля».

В январе 2016 года присвоено почётное учёное звание профессора РАН^[3].

В октябре 2016 года избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук.

Область профессиональных интересов — численные методы расчётов электронных свойств твёрдых тел, в особенности реальных сильно коррелированных систем. Им опубликовано более 130 научных работ, суммарно процитированных свыше 3000 раз; индекс Хирша — 28 (данные РИНЦ)^[4].

Основные научные результаты:

• впервые проведена серия расчётов электронных свойств реальных сильно коррелированных систем методом LDA+DMFT; в рамках этого направления им была предложена усовершенствованная схема для решения проблемы двойного учёта электрон-электронного взаимодействия без использования свободных параметров^[5];
• разработан, численно реализован и введён в практику обобщённый DMFT+Σ подход, позволивший включить различные «внешние» к модели Хаббарда взаимодействия (например, эффекты пространственных корреляций, эффекты беспорядка, электрон-фононное взаимодействие) в стандартные DMFT-уравнения;
• предложен так называемый LDA+DMFT+Σ метод, в рамках которого проведены расчёты псевдощелевых эффектов в реальных высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) на базе оксидов меди;
• предсказано существование особого типа изломов («кинков») на кривых электронной дисперсии, которые могут быть вызваны исключительно сильным межэлектронным взаимодействием^[6];
• выполнены одни из первых расчётов электронных спектров и поверхностей Ферми для широкого класса новых ВТСП на основе FeAs(Se), что помогло сформулировать «стандартную модель» электронного спектра таких систем^[5].

В 2019 году проект под руководством Некрасова на тему «Модельное и экспериментальное исследование немагнитных нанокомпозитов в микроволновом частотном диапазоне» получил грант РФФИ по итогам регионального конкурса^[7].

Преподаёт на кафедре теоретической физики физического факультета Института естественных наук УрФУ.

• Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2024) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук^[8]
• Премия УрО РАН имени С. В. Вонсовского (2002)
• Премия УрО РАН имени И. М. Цидильковского (2003, 2014)
• Премия МАИК «Наука/Интерпериодика» за лучшую публикацию в журналах РАН (2008)
• Гранты Президента РФ для молодых учёных^[9]