Лозовский, Владимир Николаевич
Владимир Николаевич Лозовский (4 ноября 1927, Таганрог, Северо-Кавказский край, РСФСР, СССР — 21 мая 2020, Новочеркасск, Ростовская область, Россия) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1974), профессор (1975). Заслуженный деятель науки и техники РСФСР (1988)[1]. Основной научный вклад связан с изучением полупроводниковых материалов и исследованием физических процессов зонной перекристаллизации под действием градиента температуры[2].
Биография
Родился 4 ноября 1927 года в городе Таганроге.
До 1946 года окончил Таганрогскую среднюю школу. В 1951 окончил физико-математический факультет Ростовского государственного университета[3].
С 1951 года работал в Новочеркасском политехническом институте — ассистент и старший преподаватель. С 1958 по 1961 годы обучался в аспирантуре. В 1961 году защитил кандидатскую диссертацию, в 1974 году — докторскую диссертацию. В 1962 году В. Н. Лозовскому присвоено звание доцент, в 1975 году звание — профессора. С 1962 по 1997 год — заведующий кафедрой физики ЮРГПУ[4]. В. Н. Лозовский с 1993 года организовал на кафедре подготовку инженеров по специальности «микроэлектроника и полупроводниковые приборы», а в 1998 году с его участием организована подготовка в университете преподавателей-физиков. В. Н. Лозовским были разработаны спецкурсы для студентов: «Физика твердого тела», «Твердотельная электроника», «Технология микросхем», «Физика полей», а для преподавателей — «Роль фундаментальных дисциплин в инженерном образовании», «Современная научная картина мира»[4][3].
Умер 21 мая 2020 года в Новочеркасске[1].
Научная деятельность
В. Н. Лозовский был создателем научной школы, организатором — лаборатории по исследованию роста кристаллов, проблемной лаборатории микроэлектроники и отраслевой лаборатории микрометаллургии полупроводников. В. Н. Лозовским была открыта аспирантура по физике твердого тела, под его руководством выполнены 44 кандидатские и докторские диссертации[4]. Научные интересы В. Н. Лозовского связаны с исследованием процессов роста кристаллов в микроразмерных ячейках, особенность развиваемого метода состоит в том, что он позволяет перемещать внутри и на поверхности кристалла жидкие микрозоны различной конфигурации и состава. В. Н. Лозовский всесторонне исследовал закономерности миграции жидких включений в простых и сложных полупроводниковых материалах, а также влияние миграции на свойства кристаллов. В частности, он исследовал ключевые физические процессы зонной перекристаллизации под действием градиента температуры[5]. Результаты этих исследований отражены в около 500 статьях в отечественных и зарубежных изданиях, включая 6 монографий, он автор 93 патентов[6], участник более 100 конференций, включая международные[4][3][7].
Основные монографии, изданные после 1998 года:
Награды
- Орден Почёта (2007 — "за заслуги в научной и педагогической деятельности и большой вклад в подготовку квалифицированных специалистов наградить работников государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт»)
- Медаль «Ветеран труда» (1989)
- лауреат Премии имени Н. Н. Зинина (2012[1]).
- Медаль «За доблестный труд» (1970)[11]
- Медаль ВДНХ (1977)[11]
Звания
- Заслуженный деятель науки и техники РСФСР (1988 — «за заслуги в научной деятельности»)
- Почётный работник высшего профессионального образования Российской Федерации (1997)
- Заслуженный профессор ЮРГТУ (НПИ) (2007)[12]
- Академик Международной академии наук высшей школы (1994)[13]
Память
12 ноября 2021 года в ЮРГПУ (НПИ) была открыта мемориальная доска, посвящённая В. Н. Лозовскому[14][15].
Примечания
Литература
- Новочеркасск: энциклопедия / сост. и ред.: Ю. П. Белоусов, Н. В. Белоусова. — Новочеркасск : Изд-во Novoprint, 2005 г. (СПб. : ОАО Иван Федоров). — 719 с. — ISBN 5-94549-006-7
- Наука Дона в лицах / Ф. Ф. Баев, Ростовское книжное изд-во, 1998 г. — 535 с.
Ссылки
- Родом из НПИ: 90 лет выдающемуся учёному-физику В. Н. Лозовскому! ЮРГПУ. Дата обращения: 7 марта 2020.