Ионная температура

Ио́нная температу́ра — искусственно введённый параметр, характеризующий среднюю кинетическую энергию хаотического движения ионов в плазме[1].


Физические основы

undefined

Ионную температуру ионной подсистемы плазмы обозначают как Применяют этот параметр в случаях, когда поведение ионной подсистемы, то есть распределение ионов в плазме по скоростям, близко к распределению Максвелла. Если плазма достаточно плотная, то количество соударений между ионами и электронами велико, и можно считать ионную и электронную температуру близкими:

,

где  — температура электронной подсистемы в плазме (т. н. электронная температура).

Схема электронной и ионной подсистемы модели плазмы показана на рисунке. Показаны ионы и электроны , хаотически двигающиеся в модели плазмы.

Однако, в сильно разряжённой плазме это условие не выполняется, и различие между ионной и электронной температурами может быть достаточно велико, а время выравнивания большим:

,

где  — масса электрона,  — масса иона,  — температура электронной подсистемы,  — ионная температура,  — кулоновский логарифм, определяемый как:

.

Здесь  — дебаевский радиус экранирования,  — прицельный параметр ближнего взаимодействия. Для обычной газоразрядной плазмы .

Кулоновский логарифм качественно можно определить как логарифм отношения максимального к минимальному прицельному параметру. В термоядерных реакторах величина кулоновского логарифма лежит в пределах от 5 до 10. В экспериментальных расчётах удобно пользоваться обратным кулоновским логарифмом[2]:

,

где  — проводимости,  — обратный кулоновский логарифм.

Так, в плазме, из которой состоит т. н. солнечный ветер, температура протонов в несколько раз меньше , и примерно в 4 раза меньше температуры -частиц . В других случаях наоборот, ионная температура может в десятки раз превышать электронную, .

Примечания

Литература

Категории