АссистентНовый вопросИсторияОбласти знаний
Партнёрские проектыСпецпроектыСтать автором
Сменить язык
О РУВИКИ

Егоров, Антон Юрьевич

Антон Юрьевич Егоров (род. 8 мая 1964, Ленинград, РСФСР, СССР) — российский физик, специалист в области физики и технологии наногетероструктур полупроводниковых твёрдых растворов, приборов оптоэлектроники и микроэлектроники на их основе, член-корреспондент РАН (2011)[1].

Общие сведения
Антон Юрьевич Егоров
Дата рождения 8 мая 1964(1964-05-08) (62 года)
Место рождения Ленинград
Страна  СССР→ Россия
Научная сфера физика полупроводников
Место работы ООО «Коннектор Оптикс»,
Университет ИТМО
Образование
Учёная степень доктор физико-математических наук (2011)
Учёное звание член-корреспондент РАН (2011)

Биография

Родился 8 мая 1964 года в Ленинграде.

В 1981 году окончил физико-математический лицей № 239. В 1986 году окончил Ленинградский электротехнический институт.

В 2011 году защитил докторскую диссертацию по теме «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N — новый материал оптоэлектроники»[2]

Работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН.

Ранее занимал должности проректора по науке и заместителя руководителя Центра нанотехнологий Академического университета имени Ж. И. Алфёрова РАН[3].

Является техническим директором научно-производственной компании ООО «Коннектор Оптикс» и профессором Университета ИТМО[1].

В 2011 году избран членом-корреспондентом РАН.

Научная деятельность

Работы связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твёрдых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе.

Разработал технологию синтеза азотсодержащих полупроводниковых твердых растворов A3B5-N, позволяющую воспроизводимо получать слои и гетероструктуры нового материала с заданными физическими свойствами высокого структурного совершенства и управлять их химическим составом; разработал физические принципы работы и впервые создал высокоэффективные полосковые и вертикально-излучающие лазеры на базе гетероструктур азотосодержащих полупроводниковых твердых растворов для систем оптической передачи информации; разработал промышленную технологию полупроводниковых гетероструктур для новых изделий микроэлектроники специального и двойного применения, предназначенных для решения широкого круга экономических и оборонных задач РФ.

Награды и премии

  • Медаль Минобрнауки России «За вклад в реализацию государственной политики в области образования»[1]
  • Юбилейная медаль «300 лет Российской академии наук»[1]
  • Главная премия МАИК «Наука/Интерпериодика» (2000)[1]
  • Премии ФТИ им. А. Ф. Иоффе (2003, 2008, 2023, 2024)[1]
  • Почётная грамота Санкт-Петербургского академического университета (2009)[1]

Примечания

  1. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 Егоров Антон Юрьевич. Санкт-Петербургский научный центр РАН. Дата обращения: 10 апреля 2026.
  2. ↑ Диссертация на тему «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники», автореферат. dissercat.com. Дата обращения: 10 апреля 2026. Архивировано 13 июля 2017 года.
  3. ↑ Егоров Антон Юрьевич. Российская академия наук. Дата обращения: 10 апреля 2026.

Ссылки

Категории