Диантимонид осмия

• Нагревание чистых веществ в вакууме:

${\displaystyle {\mathsf {Os+2Sb\ {\xrightarrow {T}}\ OsSb_{2}}}}$

Диантимонид осмия образует кристаллы двух модификаций:

• структура типа лоллингита, ромбической сингонии, параметры ячейки a = 0,6684 нм, b = 0,5937 нм, c = 0,3210 нм, Z = 2;
• структура типа марказита, ромбической сингонии, пространственная группа P nnm, параметры ячейки a = 0,5924 нм, b = 0,6666 нм, c = 0,3202 нм, Z = 2.

Является полупроводником n-типа ^[1].