Глинский, Геннадий Фёдорович

Глинский Геннадий Фёдорович (род. 10 сентября 1944, Химки, Московская область, РСФСР, СССР) — электрофизик, специалист в области электродинамики, квантовой механики, квантовой теории поля, физики полупроводников, физики наноструктур. Окончил ЛЭТИ по специальности «Диэлектрики и полупроводники» (1969). доктор физико-математических наук (1996), профессор (1998). С 1969 года работает в ЛЭТИ, профессор кафедры микро- и наноэлектроники[1].

Общие сведения
Геннадий Фёдорович Глинский
Дата рождения 10 сентября 1944(1944-09-10) (81 год)
Место рождения
Страна
Учёная степень доктор физико-математических наук

Научная деятельность

Научные интересы и достижения

Научные интересы: электродинамика движущихся сред, нелинейные поля в вакууме и геометрия пространства-времени, квантовая теория поля, физика полупроводников, теория экситонов и поляритонов, методы теории групп в квантовой механике и физике твёрдого тела. В последние годы — расчёт энергетических состояний носителей зарядов в полупроводниковых квантово-размерных структурах (квантовые ямы, нити, точки и сверхрешётки), расчёт зонной структуры фотонных кристаллов. Читает лекции, ведёт практические и лабораторные работы по курсам «Физика твёрдого тела», «Физика полупроводников», «Оптика полупроводников», «Физика наносистем».

Основные научные результаты:

  • предсказано влияние нелинейных электромагнитных полей в вакууме на геометрию пространства-времени;
  • развита релятивистская электродинамика движущихся анизотропных сред. Определены необходимые и достаточные условия отсутствия в них двулучепреломления света. В рамках общей теории относительности строго доказано отсутствие двулучепреломления света в гравитационном поле;
  • построена теория малых колебаний произвольно искривлённых мембран и минимальных поверхностей;
  • в рамках функциональных методов квантовой теории поля развита микроскопическая теория экситонных и экситон-фононных поляритонов в кристаллах;
  • методом инвариантов построены эффективные kp-гамильтонианы для гетероструктур на основе прямозонных полупроводников А3В5;
  • показано, что в приближении эффективной массы точное уравнение Шрёдингера для электронов и дырок в полупроводниковых гетероструктурах представляет собой систему однородных алгебраических уравнений. В этих уравнениях узлы решётки Браве выступают в роли естественных дискретных переменных, необходимых для описания эффективных гамильтонианов и огибающих волновых функций;
  • построена теория фотонных кристаллов на основе сред с произвольной анизотропией и гиротропией диэлектрической и магнитной проницаемостей.

Публикации

Автор более 100 научных статей и двух монографий (Г. Ф. Глинский. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры: симметрия и электронные состояния. СПб: Изд-во «Технолит», 2008. 324 с. ISBN 5-7629-0933-6; Г. Ф. Глинский. Методы теории групп в квантовой механике. СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012. 200 с. ISBN 978-5-7629-1239-6).

  • Доморацкий Е. В., Захарченко М. В., Глинский Г. Ф. Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. 2024. Т. 17, № 1.1. С. 55-61. DOI: 10.18721/JPM.171.109[2].

Примечания

  1. Сотрудники: Глинский Геннадий Федорович. СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Дата обращения: 3 июня 2026.
  2. Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs. Научно-технические ведомости СПбГПУ (2024). Дата обращения: 3 июня 2026.

Литература

  • Выдающиеся выпускники и деятели Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина). 1886—2006: биографический справочник / под ред. Д. В. Пузанкова. СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. 350 с. ISBN 5-7629-0721-X