Галиев Галиб Бариевич

Галиб Бариевич Галиев (род. 20 января 1947, Ахуново, Башкирская АССР) — советский и российский инженер, доктор физико-математических наук (2004), главный научный сотрудник Отделения сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова НИЦ «Курчатовский институт» (ранее — ИСВЧПЭ РАН)[1].

Общие сведения
Галиб Бариевич Галиев
Дата рождения 20 января 1947(1947-01-20) (79 лет)
Место рождения
Страна
Научная сфера электроника
Место работы * Отделение сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова НИЦ «Курчатовский институт»
Учёная степень доктор физико-математических наук (2004)

Биография

1966 г. — окончил с золотой медалью Ахуновскую среднюю школу Учалинского района Башкирской АССР.

1966—1973 гг. — студент дневного отделения физико-технического факультета МИЭТ, закончил по специальности автоматика и электроника.

1973—1975 гг. — инженер в НИИФП (Зеленоград).

1975—1987 гг. — инженер, старший инженер, ведущий инженер в НИИМЭ.

1987—1990 гг. — ведущий инженер и старший научный сотрудник в НИИМЭ.

1990—2002 гг. — старший научный сотрудник, и. о. заведующего лабораторией и заведующий лабораторией в ИРЭ РАН.

Кандидат физико-математических наук (1987 г.) — за разработку спектроскопии электроотражения света для прецезионного исследования и контроля параметров полупроводниковых структур. с. н. с. (1990 г.)

Доктор физико-математических наук (2004 г.) — за развитие молекулярно-лучевой эпитаксии низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и дельта-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации.

С 2003 года работал заведующим лабораторией в ИСВЧПЭ РАН.

Является главным научным сотрудником Отделения сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова НИЦ «Курчатовский институт»[2].

Научная деятельность

Автор более 180 научных работ, 6 авторских свидетельств и не менее 7 патентов (включая патенты на полупроводниковые структуры для фотопроводящих антенн).

Соавтор 1 монографии «Наноструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» М.: «Техносфера», 2010 г.

Имеет 96 цитирований в базе данных Scopus и 63 в Web of Science. Является автором высокоцитируемых работ по исследованию квантовых ям и двумерного электронного газа. Является членом Ученого совета Отделения им. Мокерова[2].

Являлся научным руководителем 16-ти дипломников и 3 к.т. н., а в настоящее время является научным руководителем 2-х студентов и 4-х аспирантов.

Примечания

  1. Галиев Галиб Бариевич. Отделение сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова. Дата обращения: 27 мая 2026.
  2. 1 2 Ученый совет. Отделение сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова. Дата обращения: 27 мая 2026.