АссистентНовый вопросИсторияОбласти знаний
Партнёрские проектыСпецпроектыСтать автором
Сменить язык
О РУВИКИ

Галиев Галиб Бариевич

Галиб Бариевич Галиев (башк. Ғәлиб Барый улы Ғәлиев ; род. 20 января 1947, Ахуново, Учалинский район, Башкирская АССР, РСФСР, СССР) — советский и российский инженер и учёный в области физики полупроводников, микроэлектроники и наноэлектроники, доктор физико-математических наук. Главный научный сотрудник лаборатории № 101 Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова Российской академии наук, член учёного совета института[1].

Общие сведения
Галиб Бариевич Галиев
Дата рождения 20 января 1947(1947-01-20) (79 лет)
Место рождения
Страна
Научная сфера электроника
Место работы * Отделение сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова НИЦ «Курчатовский институт»
Образование
Учёная степень доктор физико-математических наук (2004)

Биография

В 1966 году Г. Б. Галиев окончил с золотой медалью Ахуновскую среднюю школу Учалинского района Башкирской АССР. В 1966–1973 годах учился на дневном отделении физико-технического факультета Московского института электронной техники, который окончил по специальности «автоматика и электроника»[2].

В 1973–1975 годах работал инженером в Научно-исследовательском институте физических проблем Министерства электронной промышленности СССР в Зеленограде. В 1975–1990 годах занимал должности инженера, старшего инженера, ведущего инженера и старшего научного сотрудника Научно-исследовательского института молекулярной электроники Министерства электронной промышленности СССР. В 1990–2002 годах был старшим научным сотрудником, исполняющим обязанности заведующего лабораторией и заведующим лабораторией Института радиотехники и электроники Российской академии наук.

С 2003 года Г. Б. Галиев работает в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, где занимал должности заведующего лабораторией и главного научного сотрудника. По итогам конкурса 23 января 2018 года он был избран главным научным сотрудником лаборатории исследования процессов формирования низкоразмерных электронных систем в наногетероструктурах соединений AIIIBV; 1 февраля 2018 года с ним заключили эффективный контракт[3]. В актуальном составе учёного совета института Галиев указан как доктор физико-математических наук и главный научный сотрудник лаборатории № 101[1].

В 1987 году Г. Б. Галиев получил учёную степень кандидата физико-математических наук за разработку метода спектроскопии электроотражения света для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур. В 1990 году ему было присвоено учёное звание старшего научного сотрудника. В 2004 году получил учёную степень доктора физико-математических наук за исследования в области молекулярно-лучевой эпитаксии низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и δ-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации[2].

Научная деятельность

Основное направление исследований Г. Б. Галиева — получение и изучение полупроводниковых гетеро- и наноструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В его работах рассматриваются структуры на основе соединений AIIIBV, квантовые ямы, метаморфные InAlAs/InGaAs-гетероструктуры и материалы для сверхвысокочастотных приборов[2].

Г. Б. Галиев участвовал в исследовании псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/AlGaAs-гетероструктур с двусторонним δ-легированием кремнием. Авторы работы изучили электрические и структурные характеристики образцов, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при разных уровнях легирования, а также изменение концентрации и подвижности электронов при заполнении подзон размерного квантования[4].

В другой работе с участием Г. Б. Галиева изучалось влияние содержания индия на подвижность и эффективную массу электронов в InGaAs/InAlAs HEMT-структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP. Авторы установили, что с увеличением содержания индия в квантовой яме эффективная масса электронов уменьшается, а более широкие и глубокие квантовые ямы характеризуются большей подвижностью носителей заряда[5].

Г. Б. Галиев входит в редакционный совет научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника»[2].

Подготовка научных кадров

Г. Б. Галиев руководил работой 16 дипломников и трёх кандидатов технических наук. На момент публикации справки под его руководством работали два студента и четыре аспиранта.

Г. Б. Галиев был научным руководителем Алексея Николаевича Клочкова, подготовившего диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук «Исследование электронного спектра и фотолюминесцентных свойств модулированно-легированных гетероструктур InGaAs/InAlAs с составными и метаморфными квантовыми ямами»[6].

Научные труды

Г. Б. Галиев опубликовал более 180 научных работ, получил шесть авторских свидетельств и является соавтором монографии «Наноструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике», изданной в Москве издательством «Техносфера» в 2010 году[2].

В официальном перечне результатов интеллектуальной деятельности института Галиев указан среди авторов патентов Российской Федерации:

  • № 2474923 «Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура InAlAs/InGaAs» от 10 февраля 2013 года[7];
  • № 2474924 «Полупроводниковая наногетероструктура InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером» от 10 февраля 2013 года[7];
  • № 2581744 «Способ определения параметров решётки в выбранной малой области эпитаксиального слоя с градиентом химического состава» от 28 марта 2016 года[7];
  • № 2582440 «Полупроводниковая транзисторная наногетероструктура на подложке GaAs с модифицированным стоп-слоем AlxGa1−xAs» от 1 апреля 2016 года[7];
  • № 2610222 «Материал для фотопроводящих антенн» от 8 февраля 2017 года[7];
  • № 2624612 «Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн» от 4 июля 2017 года[7];
  • № 2671286 «Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн» от 30 октября 2018 года[7].

Примечания

  1. ↑ 1 2 Учёный совет. Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова Российской академии наук. Дата обращения: 25 августа 2026.
  2. ↑ 1 2 3 4 5 Галиев Галиб Бариевич. Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова Российской академии наук. Дата обращения: 25 августа 2026.
  3. ↑ Заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников. Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (1 февраля 2018). Дата обращения: 25 августа 2026.
  4. ↑ Vasil’evskiĭ, I. S.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A.; Mokerov, V. G.; Shirokov, S. S.; Imamov, R. M.; Subbotin, I. A. Electrical and structural properties of PHEMT heterostructures based on AlGaAs/InGaAs/AlGaAs and δ-doped on two sides (англ.). Springer Nature (1 сентября 2008). Дата обращения: 25 августа 2026.
  5. ↑ Yuzeeva, N. A.; Sorokoumova, A. V.; Lunin, R. A.; Oveshnikov, L. N.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A.; Lavruchin, D. V.; Kulbachinskii, V. A. Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content (англ.). Springer Nature (22 марта 2016). Дата обращения: 25 августа 2026.
  6. ↑ Клочков Алексей Николаевич. Исследование электронного спектра и фотолюминесцентных свойств модулированно-легированных гетероструктур InGaAs/InAlAs с составными и метаморфными квантовыми ямами. Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук (2015). Дата обращения: 25 августа 2026.
  7. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 Интеллектуальная собственность. Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова Российской академии наук. Дата обращения: 25 августа 2026.

Литература

  • Наноструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. — М.: Техносфера, 2010.

Ссылки

Категории