Багдасаров, Хачик Саакович

Родился 21 мая 1929 года в городе Самарканде Узбекской ССР^[2].

В 1946—1951 годах учился на металлургическом факультете Московского института стали. Работал сменным мастером, технологом Дмитровского экскаваторного завода.

Окончил аспирантуру Института кристаллографии Академии наук СССР. В 1957 году после защиты кандидатской диссертации получил учёное звание «кандидат химических наук». В 1972 году защитил докторскую диссертацию (доктор физико-математических наук)^[3].

С 1956 года работал в Институте кристаллографии РАН (лаборант, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник).

В 1964—1987 годах — заведующий отделом кристалловедения РАН.

С 2003 года заведующий отделом высокотемпературной кристаллизации.

Основные научные работы по физической химии неорганических тугоплавких кристаллов, в том числе для лазеров.

Член-корреспондент Академии наук СССР c 7 декабря 1991 года — Секция инженерных наук (материаловедение).

Скончался 5 октября 2013 года в Москве^[2]. Похоронен на Хованском кладбище (Центральная территория, участок 21)^[4].

Х. С. Багдасаров вёл активную научно-организационную и экспертную работу:

• член Учёного совета Института кристаллографии РАН^[5];
• член редколлегии журнала «Кристаллография»^[5][6];
• эксперт ВАК по физике (свыше 20 лет)^[6];
• сопредседатель программного комитета Национальных конференций по росту кристаллов^[5][6];
• председатель Государственной экзаменационной комиссии (ГЭК № 2) МИСиС^[5][6].

• Багдасаров Х. С., Карпов И. И., Гречушников Б. Н. Выращивание кристаллов иттрий-алюминиевого граната. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1976.^[7]
• Гречушников Б. Н., Карпов И. И., Багдасаров Х. С. Оптические свойства и применение в лазерах кристаллов иттрий-алюминиевого граната. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1976.^[7]
• Багдасаров Х. С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. — 160 с. — [[Служебная:Источники книг/{{{isbn}}}|ISBN {{{isbn}}}]].
• Багдасаров Х. С., Горяинов Л. А. Тепло- и массоперенос при выращивании монокристаллов направленной кристаллизацией. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007. — 224 с. — [[Служебная:Источники книг/{{{isbn}}}|ISBN {{{isbn}}}]].

Основные патенты и авторские свидетельства на методы и устройства для выращивания монокристаллов (в том числе тугоплавких оксидов), зарегистрированные с 1977 по 2006 год:

• 1977 — Авторское свидетельство SU 552750 A1 «Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава»^[8]
• 1978 — Авторское свидетельство SU 594628 A1 «Монокристаллический ювелирный материал на основе иттрий-алюминиевого граната»^[9]
• 1981 — Авторское свидетельство SU 859490 A1 «Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава»^[10][11]
• 1991 — Патент № 2019585 «Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов»^[12]
• 1991 — Патент № 2061803 «Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ»^[12]
• 2005 — Патент № 2289641 «Способ регистрации положения фронта кристаллизации в установках горизонтальной направленной кристаллизации и устройство регистрации положения фронта кристаллизации в установках горизонтальной направленной кристаллизации»^[12]
• 2006 — Патент RU 2320789 C1 «Способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов»^[12][13]

• Орден Трудового Красного Знамени (1971),
• Орден «Знак Почёта» (1981),
• Государственная премия СССР (1972) — за создание новых материалов^[5],
• Государственная премия России (2000) — за разработку мощных твердотельных технологических лазеров и их внедрение в промышленный процесс^[5][14],
• премия имени Е. С. Фёдорова (2003) — за цикл работ «Создание основ высокотемпературной кристаллизации»^[5][15],
• Почётное звание «Заслуженный деятель науки и техники»^[5],
• Золотая медаль ВДНХ (трижды)^[5].